业界首款！三星成功开发12层堆叠36GB HBM3E内存：带宽达1280GB/s

快科技 2 月 27 日消息，今天，三星电子官方宣布，成功开发出业界首款 36GB 12H（12 层堆叠）HBM3E DRAM，巩固了在高容量 HBM 市场的领先地位。

通过采用 TSV 技术，三星将 24Gb DRAM 芯片堆叠到 12 层，从而实现业界最大的 36GB HBM3E 12H 容量。

据介绍，HBM3E 12H 能够提供高达 1280GB/s 的带宽和迄今为止最大的 36GB 容量，相比于前代 8 层堆叠的 HBM3 8H，在带宽和容量上提升超过 50%。

同时三星还通过先进的 TC NCF（热压的非导电薄膜）技术使 12H 产品与 8H 产品具有相同的高度，能够满足 HBM 封装规格。

先进 TC NCF 技术的应用在增加 HBM 堆栈数量的同时，还最大限度地减少了由于芯片变薄而可能发生的 " 翘曲现象 "，有利于高端堆叠扩展。

此外三星还不断降低 NCF 材料的厚度，实现了业界最小的 7 微米的芯片间距，实现了比 HBM3 8H 高出 20% 以上的垂直整合。

三星表示，HBM3E 12H 有望成为使用 AI 平台的各种公司的最佳解决方案，与 HBM3 8H 相比其 AI 训练速度平均提高 34%，同时推理服务用户数量也可增加超过 11.5 倍。

目前三星电子已开始向客户提供 HBM3E 12H 的样品，并预计今年上半年量产。