消息称三星 Exynos 2400 芯片良率达 60%，一年多以前仅为 25%

IT 之家 2 月 5 日消息，@Tech_Reve 表示，三星 Exynos 2400 采用的 4LPP 工艺目前良率约为 60%，虽然比不上竞争对手（台积电 N4P 据说约为 70%），但已经远超一年多之前的自己。

值得一提的是，Exynos 2400 是三星首款采用 " 扇出晶圆级封装 "（FOWLP）的智能手机芯片组。三星声称，使用 FOWLP 技术可将耐热性提高 23%，从而使多核性能提高 8%，因此 Exynos 2400 在最新的 3DMark Wild Life 极限压力测试结果中表现不俗。

上个月，Chosun 称三星电子代工厂已开始针对其第二代 3nm 级工艺 SF3 进行试生产。据报道，该公司计划在未来六个月内将良率提高至 60% 以上。

消息人士称，三星正在测试 SF3 节点上制造的芯片的性能和可靠性；首个采用三星 SF3 工艺的芯片预计将会是专为可穿戴设备设计的应用处理器，计划用于今年晚些时候发布的 Galaxy Watch 7 等产品。

三星此前表示，计划在 2024 年下半年开始大规模量产 SF3 芯片；2023-2024 年将以 3nm 生产为主，即 SF3 ( 3GAP ) 及其改进版本 SF3P ( 3GAP ) ，而且该公司还计划于 2025-2026 年开始推出其 2nm 节点。

据三星介绍，SF3 节点可以在同一单元内实现不同的环绕栅（GAA）晶体管纳米片通道宽度，从而提供更高的设计灵活性。这也能够为芯片带来更低的功耗和更高的性能，并通过优化设计来增加晶体管密度。

IT 之家通过 TrendForce 数据获悉，台积电去年第三季度占据了全球晶圆代工市场 57.9% 的份额。三星电子以 12.4% 的份额位居第二，两家公司之间的差距超过 40 个百分点。