1c 纳米内存竞争：三星计划增加 EUV 使用，美光将引入钼、钌材料

IT 之家 2 月 3 日消息，根据韩媒 The Elec 的报道，DRAM 内存巨头三星和美光均将在下一个内存世代，也就是 1c nm 工艺引入更多新技术。

IT 之家注：1c nm 世代即第六个 10 nm 世代，美光也称之为 1 γ nm 工艺。目前最先进的内存为 1b nm 世代，三星称其 1b nm 为 12nm 级工艺。

分析机构 TechInsights 高级副总裁 Choi Jeong-dong 在近日的一场研讨会上表示，美光将在 1c nm 节点率先引入钼（Mo，读音 m ù）和钌（Ru，读音 li ǎ o）。这两种金属将作为布线材料，被用于内存的字线和位线中。

钼和钌的电阻相较于现在应用的钨（W）更低，可进一步压缩 DRAM 线宽。不过钌也存在自身的问题：其在工艺中会反应生成有毒的四氧化钌（RuO4），为维护工作带来新的麻烦。Choi Jeong-dong 认为，三星和 SK 海力士将稍晚一至两个世代引入这两种金属。

而在三星这边，其将进一步扩大 EUV 工艺的应用。三星是三大存储原厂中首先引入 EUV 的企业，已将其应用至字线和位线等层中，预计在 1c nm 中 EUV 应用将扩展至 8-9 层。对于美光，其也将在 1 γ nm 节点首次导入 EUV 光刻。

展望未来 10nm 以下制程，Choi Jeong-dong 表示三大厂商均在研究 3D DRAM 和 4F2 DRAM 等路线以实现进一步微缩，Neo Semiconductor 提出的 X-DRAM 以及不采用电容器的 1T DRAM 等也是可能方向。