无需EUV光刻机和先进制程，我国推进硅光子新赛道

IT 之家 1 月 24 日消息，美国智库战略与国际研究中心（CSIS）于 1 月 12 日发布文章，表示硅光子技术成为中美科技战的新战场，可能重塑半导体和 AI 领域的竞争格局。

图源：WikiMedia

该文章作者马修・雷诺兹（Matthew Reynolds）表示，和现有电子芯片不同的是，光子芯片利用光子而非电子传递信息，结合光子学和电子技术，有可能创造出具有更高带宽和能效的大规模计算系统，超越传统电子芯片的物理限制。

我国第十四个五年规划和 2035 年远景目标纲要中，都明确提到了光子技术，将其视为绕过西方技术控制的途径之一。

中国智库中国国际经济交流中心（CCIEE）经济学家陈文玲表示，硅光子是中国能弯道超车的技术：" 光子芯片具有诸多技术优势，它运算速度更快，信息容量更大，将比目前的硅基芯片提升 1000 倍以上 "。

中国中科鑫通微电子（SinTone）正筹建光子芯片生产线，意味中国在光子芯片将走在世界前列，甚至彻底改变芯片技术路线。

中科鑫通微电子总裁隋军指出，中国有能力在国内生产光子芯片，因为制造过程不需用到极紫外光（EUV）光刻机。

雷诺兹认为当前光子芯片还存在诸多挑战，短期内不可能替代电子芯片，但的确有望成中国前进半导体制造前沿的突破口。

根据 siliconsemiconductor 报道，全球硅光子市场预计将以 22.4% 的复合年增长率增长，在 2023 年预估产值规模为 14 亿美元（当前约 100.38 亿元人民币），而到 2030 年底预估达到 61 亿美元（IT 之家备注：当前约 437.37 亿元人民币）。