若供应商谨慎控制产能，内存和闪存将持续涨价

1 月 19 日消息，据市场研究机构 TrendForce 的最新研究显示，DRAM 产品合约价自 2021 年第四季开始下跌，在连跌八个季度之后，2023 年第四季度开始恢复增长。NAND Flash 合约价自 2022 年第三季开始下跌，连跌了四个季度之后，至 2023 年第三季度开始恢复增长。在面对 2024 年市场需求展望仍保守的前提下，故涨势能否延续将取决于上游原厂是否持续且有效的控制产能利用率。

TrendForce 资深研究副总吴雅婷表示，针对 2024 年第一季价格趋势，TrendForce 维持此前的预测，DRAM 合约价季度涨幅约 13~18%；NAND Flash 季度涨幅则是 18~23%。虽然目前市场对第二季整体需求看法仍属保守，但 DRAM 与 NAND Flash 供应商已分别在 2023 年第四季下旬，以及 2024 年第一季调升产能利用率，加上 NAND Flash 买方也早在第一季将陆续完成库存回补。因此，预计 DRAM、NAND Flash 第二季合约价季涨幅将收窄至 3~8%。

第三季进入传统旺季，需求端预期来自北美云端服务业者（CSP）的补货动能较强，在预期 DRAM 及 NAND Flash 产能利用率均尚未恢复至满载的前提下，两者合约价季涨幅有机会同步扩大至 8~13%。其中，DRAM 方面，因 DDR5 及 HBM 渗透率提升，受惠于平均单价提高，带动 DRAM 涨幅扩大。

第四季如供应商能够维持有效的控产策略下，涨势应能延续，预估 DRAM 合约价季涨幅约 8~13%。需要留意的是，DRAM 合约价涨幅扩大的原因是来自 DDR5 与 HBM 产品市场渗透率上升，若仅观察单一产品，例如 DDR5，仍可能出现季度下跌，也就是说今年度的 DRAM 合约价上涨并非所有颗粒别全面上扬，而是产品别逐渐转移之故。NAND Flash 合约价季涨幅则预估 0~5%。