中国推出读取速度达到2100MB/s的旗舰手机UFS 3.1存储技术

IT之家7月28日报道，知名闪存制造商BIWIN宣布推出UFS 3.1高速闪存。据了解，这款闪存的写入速度最高可达1800MB/s，是上一代通用闪存存储的4倍以上；读取速度则达到了2100MB/s；容量方面，首发容量为256GB，未来还将推出512GB和1TB容量选项。此外，该闪存的尺寸为11.5 × 13.0 × 1.0mm，主要用于旗舰智能手机产品。这一新推出的高速闪存有望为旗舰智能手机带来更快的数据传输速度和更大的储存容量。

▲ 图源 "BIWIN 佰维 " 公众号

值得一提的是，佰维 UFS 2.2 闪存已通过联发科、展锐等主流 SoC 平台验证，是国内首家进入联发科支持列表的独立存储解决方案厂商。同时，佰维可提供 UFS 3.1 LPDDR4X / 5 的存储搭配方案，其中佰维 LPDDR5 产品的运行速度达 6400Mbps，容量最高可达 64Gb（IT 之家注：8GB）。

佰维表示，公司依托自研固件算法能力，同时根据 JEDEC 发布的 UFS 3.1 规范，为 UFS 3.1 自主开发了写入增强、深度睡眠、性能调整通知、主机性能提升器等固件功能，确保产品高速运行的同时，降低产品功耗。

深圳佰维存储科技股份有限公司成立于 2010 年，专注于存储芯片研发与封测制造，是国家高新技术企业，国家级专精特新小巨人企业，并获得国家大基金战略投资（第二大股东）。